# Perché il bussing (saldatura a sovrapposizione) causa crepe nelle celle

> Tre modi in cui il giunto di bussing incrina una cella durante la laminazione: uno spazio riservato troppo piccolo, un nastro formato attraverso un gradino e un anello di saldatura.

![Perché il bussing (saldatura a sovrapposizione) causa crepe nelle celle](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20261016/2026101628282828.webp)

- ** Jerry
- ** 2026-07-20
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## Perché il bussing (saldatura a sovrapposizione) causa crepe nelle celle

**Risposta rapida:** Un'incrinatura del foro centrale che deriva dalla fase di bussing è un cedimento meccanico nel giunto tra il bordo della cella e la barra collettrice. Tre cose la causano. Lo spazio riservato tra cella e barra collettrice è troppo piccolo, quindi il nastro attraversa con un angolo ripido e preme sul bordo. Il nastro è stato formato attraverso un dislivello che la laminazione successivamente appiattisce, lasciando nastro in eccesso che deve deformarsi da qualche parte. Oppure il rivestimento del nastro si è fuso in un anello di saldatura rialzato che viene premuto nel wafer. Tutti e tre caricano il bordo di un wafer spesso circa 0,13 mm, e tutti e tre di solito si manifestano solo dopo la laminazione, in elettroluminescenza.

Le incrinature del foro centrale sono tra i difetti estetici più frequenti che una linea di moduli produce, e l'elenco delle possibili cause è lungo. Danni da manipolazione, vetro, incapsulante, guasti dello stringer e parametri di laminazione hanno tutti le proprie firme. Questa pagina restringe l'argomento alla parte che deriva dal bussing — la fase di saldatura per sovrapposizione che unisce l'estremità di uno string a una barra collettrice — e illustra i tre modi in cui quella fase rompe le celle.

Ciò che questi tre hanno in comune è che nessuno di essi è un guasto elettrico. Sono problemi di geometria. Il giunto tra il bordo di una cella e una barra collettrice è un punto in cui un wafer sottile, una striscia di nastro molto più spessa e una saldatura si incontrano, e in cui una striscia in tensione cambia direzione. Sbaglia quella geometria di qualche decimo di millimetro e il wafer ne paga le conseguenze più tardi, nella pressa.

Di seguito è riportato il meccanismo per ciascuna delle tre cause, ciò che le distingue l'una dall'altra sulla linea e ciò che vale la pena misurare prima della laminazione anziché dopo.

## Il giunto di cui tratta questa pagina

Il bussing è il punto in cui le estremità di uno string finito vengono saldate sulla barra collettrice che raccoglie la corrente e la porta alla scatola di giunzione. Su uno string TOPCon il nastro lascia il fronte della cella e viene saldato sul retro della barra collettrice, quindi il giunto si trova sul bordo della cella anziché al centro di una superficie della cella.

L'attrezzatura porta la cella e la barra collettrice su un piano comune durante l'operazione. Ciò non le rende dello stesso spessore, e la differenza non è piccola:

| Articolo | Spessore tipico |
| --- | --- |
| Wafer TOPCon | 0,13 mm |
| Nastro della barra collettrice centrale | Da 0,35 mm a 0,40 mm |

Quindi il nastro lascia un wafer da 0,13 mm, attraversa uno spazio e atterra su una striscia circa tre volte più spessa. Il nastro è l'unico elemento che copre quel gradino, e lo fa sotto tensione. Dove tocca il bordo della cella, spinge. Questo è l'intero modo di guasto in una frase; le tre cause seguenti sono solo tre modi di rendere la spinta maggiore.

## Causa uno: lo spazio riservato tra il bordo della cella e la barra collettrice è troppo piccolo

Lo spazio tra il bordo della cella e la barra collettrice è una finestra di processo, non una dimensione nominale. Diverse cose ordinarie spingono il bordo della cella più vicino alla barra collettrice di quanto dovrebbe. Un offset di visione CCD sulla macchina di bussing può farlo. Anche un difetto di posizionamento sulla stessa macchina può farlo. Anche uno string la cui lunghezza totale è andata fuori tolleranza lo fa, perché la cella terminale arriva allora in un punto diverso da quello previsto dall'attrezzatura.

Una volta che lo spazio è ridotto, il nastro deve compiere la stessa salita su una distanza più breve, quindi l'angolo tra il nastro e il bordo del wafer diventa più ripido. Prendi la tensione del nastro come approssimativamente costante e scomponila in due componenti nel punto in cui il nastro lascia la cella:

- **F1** agisce nel piano del wafer, tirando il nastro verso la barra collettrice.
- **F2** agisce perpendicolarmente al wafer, premendo il nastro verso il basso sul bordo della cella.

Un attraversamento più ripido sposta la tensione da F1 a F2. La trazione orizzontale diminuisce, la pressione verso il basso aumenta, e il bordo è il punto in cui quella pressione arriva. Il silicio è fragile, il wafer è sottile e il bordo è una superficie libera senza materiale attorno per distribuire il carico. Un'incrinatura inizia sul bordo e si propaga verso l'interno. Su un modulo finito si legge come una linea scura o una macchia scura in EL.

Questa causa è la più facile delle tre da prevenire e la più difficile da vedere, perché un giunto fuori posizione di 0,2 mm sembra perfettamente normale. Il controllo è il posizionamento stesso: calibrazione della visione, ripetibilità di posizionamento della testa di bussing e tolleranza di lunghezza dello string in arrivo dal [stringatrice](https://www.ooitech.com/tabber-and-stringer-machine-how-it-works-how-to-choose.html).

## Causa due: il nastro è stato formato attraverso un gradino che la laminazione elimina

La seconda causa inizia allo stesso modo, con una differenza di altezza tra cella e barra collettrice alla stazione di bussing, ma il risultato è diverso. Qui la differenza è abbastanza grande che il nastro, una volta saldato, mantiene un gradino nella sua forma. Il giunto è fatto, il nastro è fissato, e la lunghezza di nastro in quel giunto è ora una quantità fissa.

La laminazione poi fa ciò che fa la laminazione: preme l'assieme in piano. Le due superfici si allineano, e il percorso che il nastro deve coprire tra esse diventa più breve. Il nastro, tuttavia, ha già la sua lunghezza, e non può accorciarsi. L'eccesso deve andare da qualche parte, quindi il nastro si deforma — e la deformazione si trova sul bordo della cella.

Il risultato è lo stesso difetto della causa uno, con una firma diversa: tende a comparire in lotti anziché come celle isolate, perché il gradino è una proprietà dell'allestimento anziché di un singolo giunto. È anche il motivo per cui un giunto può superare l'ispezione alla stazione di bussing e comunque generare incrinature nella pressa. La complanarità al bussing è il punto di controllo, non l'aspetto del giunto.

## Causa tre: il rivestimento si è fuso in un anello rialzato

La terza causa è la più rara, è la più istruttiva, ed è l'unica che inizia come una decisione di acquisto. È apparsa nel caso di origine come una linea con persistenti incrinature del foro centrale dopo la laminazione. Diversi laminatori producevano lo stesso difetto e la macchina di bussing era l'unico elemento fisso nel quadro, ed è ciò che ha indirizzato l'indagine sulla fase di bussing.

Cosa stava succedendo lì: la cella e la barra collettrice avevano una leggera differenza di altezza, e nella zona della forcella, dove la barra collettrice si dirama verso i terminali, non c'era barra collettrice sotto il nastro per saldare. Il nastro si è separato dal wafer. Il calore della saldatura ha poi sciolto il rivestimento del nastro, che si è ritirato in una goccia attorno al nastro e si è solidificato come un anello in rilievo. Sotto la pressione della laminazione quell'anello ha agito come un punto duro sopra un wafer fragile, incrinandolo.

Il motivo per cui gli anelli sono apparsi a lotti è la parte che vale la pena ricordare. La linea era passata a un nastro a basso costo con alto contenuto di stagno e basso contenuto di rame, e il rivestimento su quel nastro variava di spessore lungo la bobina. Più stagno nella giunzione produceva un anello più grande. Il ritorno al nastro standard ha eliminato completamente il difetto.

Da ciò derivano due punti. Lo spessore del rivestimento e la sua uniformità appartengono al controllo in ingresso piuttosto che solo a una scheda tecnica. [il rivestimento è la parte del nastro che realizza la giunzione](https://www.ooitech.com/pv-ribbon-materials-copper-core-hardness-and-coating.html), e una bobina con rivestimento irregolare si comporta diversamente da una uniforme, anche quando entrambe rispettano lo stesso valore medio. E una giunzione ha bisogno di qualcosa dietro di sé. Dove il nastro attraversa un'area senza supporto sotto, sia la saldatura che la laminazione lavorano contro la geometria anziché con essa.

## Distinguere i tre

Su una linea che produce crepe da foro centrale, il pattern del difetto è spesso sufficiente a indicare la causa prima di qualsiasi misurazione. I tre seguenti sono le firme legate al bussing; esistono altre firme che indicano altro.

| Cosa si vede | Causa probabile | Prima cosa da controllare |
| --- | --- | --- |
| Crepe che seguono il percorso della barra collettrice, che appaiono su celle le cui giunzioni sembrano tutte accettabili | Spazio riservato troppo piccolo | Calibrazione della visione e lo spazio effettivo alla giunzione |
| Crepe a lotti che seguono un cambio di setup anziché un turno | Nastro formato attraverso un gradino | Coplanarità di cella e barra collettrice al bussing |
| Lo stesso difetto su diversi laminatori mentre una macchina di bussing rimane costante | Anello di stagno | Supporto sotto il nastro, poi la specifica del rivestimento del nastro |

La terza riga è quella che vale la pena interiorizzare. Quando un difetto segue la parte della linea che non è cambiata, la parte che non è cambiata può essere la causa, non il controllo.

## Cosa mantenere alla stazione di bussing

Nessuna delle tre cause può essere eliminata tramite ispezione dopo la laminazione. Devono essere mantenute alla stazione che realizza la giunzione, e su una [macchina di cablaggio](https://www.ooitech.com/automatic-bussing-machine-dh200-y-solar-panel-busbar-soldering-equipment-ooitech.html) ciò significa quattro cose:

- **Posizionamento.** Lo spazio tra il bordo della cella e la barra collettrice dovrebbe essere misurato e registrato, non presunto dal programma. Gli offset della visione e la deriva della lunghezza della stringa lo spostano entrambi.
- **Coplanarità.** La differenza di altezza tra cella e barra collettrice al momento della saldatura è ciò che fissa la lunghezza del nastro. L'attrezzatura di supporto e la planarità della dima la determinano.
- **Specifica del nastro.** Spessore del rivestimento e sua uniformità, verificati sul materiale in ingresso anziché letti dalla scheda tecnica. [La struttura del nastro](https://www.ooitech.com/pv-ribbon-structure-and-types-flat-round-and-shaped.html) e il suo rivestimento determinano quanto stagno finisce nella giunzione.
- **Tempistica dell'ispezione.** L'elettroluminescenza dopo la laminazione è dove questi difetti appaiono. Se il tuo [controllo EL](https://www.ooitech.com/el-testing-for-solar-panels-inline-vs-offline-setup.html) viene eseguito prima nel flusso, la crepa verrà mancata nel punto in cui è ancora riconducibile a una stazione.

Anche il lato della laminazione conta, ma soprattutto come amplificatore. Una pressa che appiattisce il gruppo in modo uniforme, con le fasi di vuoto e la rampa di pressione che fanno ciò che dovrebbero, tratta ogni giunzione allo stesso modo. [Il ciclo di laminazione](https://www.ooitech.com/solar-panel-production-process-lamination.html) è dove la geometria costruita al bussing incontra finalmente le sue conseguenze.

## Domande frequenti

### Perché la crepa appare solo dopo la laminazione?

Perché il carico che rompe il bordo viene applicato nella pressa. La giunzione stessa sembra normale quando viene realizzata; il nastro in eccesso non si è ancora deformato, e l'anello di stagno non è ancora sotto pressione. Il danno già presente nel wafer può anche rimanere chiuso finché la pressione della laminazione non lo apre in una crepa leggibile in EL.

### Perché si chiama crepa da foro centrale?

Il nome deriva da dove il difetto viene visto sul modulo finito. L'origine meccanica è la giunzione cella-barra collettrice, motivo per cui le tre cause in questa pagina rimandano tutte alla fase di bussing anziché al foro stesso.

### È un problema di nastro o un problema di saldatura?

È un problema di geometria che si manifesta attraverso una giunzione saldata. Le cause uno e due non hanno quasi nulla a che fare con il nastro come prodotto: lo spazio e la differenza di altezza sono proprietà di come le parti vengono posizionate e supportate. La causa tre è l'eccezione, e lì il rivestimento del nastro è direttamente coinvolto.

### Un nastro più spesso aiuterebbe?

Aumenterebbe il gradino che il nastro deve superare alla barra collettrice, e metterebbe più materiale in qualsiasi anello che si formi. La direzione che aiuta il bordo è quella opposta: un gradino più piccolo e meglio controllato, uno spazio mantenuto all'interno della sua finestra, e un rivestimento che si comporta allo stesso modo lungo tutta la bobina.

### Qualcosa di tutto ciò può essere individuato prima della laminazione?

Due dei tre possono, e solo tramite misurazione. Lo spazio riservato è una dimensione che puoi verificare alla giunzione. La coplanarità al bussing è una dimensione che puoi verificare sulla dima. L'anello di stagno può essere visto sulla giunzione se qualcuno lo cerca, motivo per cui vale la pena avere una fase di ispezione dopo il bussing oltre che dopo la laminazione.

### Questo si applica ai moduli senza barra collettrice?

Il meccanismo cambia con la giunzione. Su un [modulo 0BB](https://www.ooitech.com/0bb-cell-technology-what-removing-the-busbar-changes.html) il nastro è legato direttamente a dita sottili, quindi non c'è un bordo di barra collettrice da attraversare e i carichi della giunzione sono distribuiti su molte più connessioni, molto più piccole. La giunzione di barra collettrice descritta qui è quella in cui una singola striscia spessa attraversa un bordo sottile del wafer.

## Considerazioni finali

Tre storie diverse terminano nella stessa linea scura in EL, e la ragione per cui vale la pena separarle è che richiedono tre soluzioni diverse. Il gap è un problema di posizionamento. Lo step è un problema di planarità. L'anello è un problema di materiali e supporto. Una linea che tratta tutti e tre come "problemi di laminazione" passerà il suo tempo ad regolare una pressa che non è la causa.

Il filo conduttore è che una striscia di ribbon sotto tensione è un percorso di carico, e il bordo del wafer è il punto più stretto su di esso. Le celle sottili hanno reso quel bordo più stretto, e la finestra operativa che un tempo assorbiva un decimo di millimetro di disallineamento non lo fa più.

**Letture correlate:** [Cosa fa un nastro fotovoltaico: tre funzioni, un compromesso](https://www.ooitech.com/what-a-pv-ribbon-does-three-jobs-one-trade-off.html) · [Materiali per nastri fotovoltaici: anima in rame, durezza e rivestimento](https://www.ooitech.com/pv-ribbon-materials-copper-core-hardness-and-coating.html) · [Struttura e tipi di ribbon fotovoltaico: piatto, tondo e sagomato](https://www.ooitech.com/pv-ribbon-structure-and-types-flat-round-and-shaped.html) · [Macchina automatica per bussing DH200-Y](https://www.ooitech.com/automatic-bussing-machine-dh200-y-solar-panel-busbar-soldering-equipment-ooitech.html) · [Macchina per bussing half-cell HDX200-P](https://www.ooitech.com/hdx200-p-half-cell-auto-bussing-machine-automatic-busbar-welding-machine-for-solar-panel-production.html) · [Macchina per layup e bussing SAW-100A](https://www.ooitech.com/automatic-layup-and-bussing-integrated-machine-saw-100a-solar-panel-production-equipment-ooitech.html) · [Laminatore per pannelli solari: processo di laminazione spiegato](https://www.ooitech.com/solar-panel-production-process-lamination.html) · [Come scegliere il laminatore giusto per moduli solari](https://www.ooitech.com/how-to-choose-the-right-solar-module-laminator.html) · [Test di affidabilità dei moduli fotovoltaici: cause di guasto della cella rispetto al modulo](https://www.ooitech.com/pv-module-reliability-tests-list-cell-vs-module-failure-causes.html) · [Macchina tabber e stringer: come funziona, come scegliere](https://www.ooitech.com/tabber-and-stringer-machine-how-it-works-how-to-choose.html)

I valori di spessore per il wafer e la centre busbar sono i valori tipici citati nel materiale di origine e variano in base al fornitore e al design. I riferimenti ai componenti di tensione del ribbon F1 e F2 descrivono la direzione del carico nel giunto; la suddivisione tra di essi deriva dall'angolo del ribbon e non è un valore misurato.

Correlato: [Hot spot, microcricche e PID: tre guasti lenti del modulo](https://www.ooitech.com/hot-spots-microcracks-and-pid-three-slow-module-failures.html) inserisce quel difetto di giunzione nel quadro più ampio della perdita graduale del modulo.

Correlato: [Meccanismi della stringer per celle solari: una guida zona per zona](https://www.ooitech.com/solar-cell-stringer-mechanisms-a-zone-by-zone-guide.html). La giunzione di bussing si guasta a valle dello stringer, sulla giunzione realizzata dallo stringer.

## Approfondimenti e dati di contesto

Materiale di riferimento pubblico su questo argomento, pubblicato dalle organizzazioni che mantengono la roadmap tecnologica e i dati di mercato del settore:

- [VDMA — Roadmap tecnologica internazionale per il fotovoltaico (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic)
- [pv magazine — notizie globali e approfondimenti tecnici sull'industria fotovoltaica](https://www.pv-magazine.com/)
- [Fraunhofer ISE — Rapporto sul fotovoltaico](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html)

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